Questão de Engenharia ElétricaCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Telecomunicações (ETEA - PCIANA)
Enunciado
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
Relatar um erro nesta questão
Continue estudando Engenharia Elétrica
Mais questões da mesma disciplina para manter o ritmo.
- CESPE2016A respeito de motores elétricos de indução e de circuitos de distribuição para instalações de força motriz, julgue os próximos itens. No caso de alimentação monofásica, o motor assíncrono apresenta como desvantagem a necessidade de um dispoResolver
- CESPE2016A respeito de motores elétricos de indução e de circuitos de distribuição para instalações de força motriz, julgue os próximos itens. No sistema de aterramento com esquema TN, um ponto da alimentação é diretamente aterrado, sendo a massa doResolver
- CESPE2016A respeito de motores elétricos de indução e de circuitos de distribuição para instalações de força motriz, julgue os próximos itens. Em geral, o escorregamento de um motor de indução trifásico varia de 40% a 60%.Resolver
- CESPE2016A respeito de motores elétricos de indução e de circuitos de distribuição para instalações de força motriz, julgue os próximos itens. Fusíveis de ação retardada e chaves magnéticas com relés térmicos são dispositivos utilizados, entre outraResolver