No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução? A) A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor. B) A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte. C) A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor. D) A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta. E) A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

Questão de Engenharia ElétricaCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - CQUALF)

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor.

A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor.

A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta.

A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

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Gabarito oficial: alternativa B

A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

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