Questão de Engenharia ElétricaCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - DIFUSA)
Enunciado
Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10⁻¹⁵ cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10⁻¹⁶ cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.
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