Questão de Engenharia ElétricaCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - EDIECO)

Enunciado

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (V_(GS)), e entre dreno e fonte (V_(DS)). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão V_(GS) fixa, acima da tensão de limiar (Vₜ), variando-se a tensão V_(DS) existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se V_(DS) = V_(GS) - Vₜ, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em V_(DS) têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

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