Questão de Engenharia ElétricaCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - IMPION)
Enunciado
A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de
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- FUMARC2018A tensão inicial no capacitor em t = 0 e a expressão de v(t) após o chaveamento em t = 0 são, respectivamente:Resolver
- NUCEPE2018Seja uma linha de transmissão ideal de 300 kV, com comprimento elétrico equivalente ɵ = π/3 radianos e impedância característica Zc = 300 Ω. Suponha a linha em vazio e energizada por uma fonte ideal de 300 kV, entre fases. Para que a tensãoResolver
- FUNDATEC2018No circuito da Figura 4 abaixo, a tensão zener é de 9 V, a mínima corrente reversa zener é de 1 mA, a tensão limiar de condução dos diodos da ponte retificadora é de 0,7 V e a capacitância é de 100 μF. Para que a fonte tenha a capacidade deResolver
- FUNDATEC2018O circuito eletrônico da Figura 3 abaixo representa um filtro:Resolver