Em relação ao CI, é INCORRETO afirmar: A) Na fabricação de CIs, difusão refere-se à migração forçada e controlada de impurezas para o substrato. B) A tecnologia de fabricação de CI conhecida como Metal-Oxido-Semicondutor (MOS) utiliza o silício como substrato. C) Milhares de dispositivos são produzidos numa única pastilha de material semicondutor. D) Um CI classificado como Small-Scale Integration possui de 3.000 a 100.000 componentes integrados. E) Capacitores, diodos e resistores são componentes que entram no processo de fabricação dos CIs.

Questão de Engenharia EletrônicaEmpresa Brasileira de InfraEstrutura Aeroportuária (INFRAERO) - Analista Superior IV Área Engenheiro Eletrônico

Em relação ao CI, é INCORRETO afirmar:

Na fabricação de CIs, difusão refere-se à migração forçada e controlada de impurezas para o substrato.

A tecnologia de fabricação de CI conhecida como Metal-Oxido-Semicondutor (MOS) utiliza o silício como substrato.

Milhares de dispositivos são produzidos numa única pastilha de material semicondutor.

Um CI classificado como Small-Scale Integration possui de 3.000 a 100.000 componentes integrados.

Capacitores, diodos e resistores são componentes que entram no processo de fabricação dos CIs.

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Gabarito oficial: alternativa D

Um CI classificado como Small-Scale Integration possui de 3.000 a 100.000 componentes integrados.

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