QuestãoCentro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Física (ETEA - PESDES)

Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica.

A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.

A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.

Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂.

A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.